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次世代発光源に向けた電気泳動堆積法による蛍光性量子ドット膜形成技術と欠陥修復技術

研究課題

研究課題/領域番号 25K01264
研究種目

基盤研究(B)

配分区分基金
応募区分一般
審査区分 小区分21050:電気電子材料工学関連
研究機関大阪大学

研究代表者

梶井 博武  大阪大学, 大学院工学研究科, 准教授 (00324814)

研究分担者 近藤 正彦  大阪大学, 大学院工学研究科, 教授 (90403170)
研究期間 (年度) 2025-04-01 – 2029-03-31
研究課題ステータス 交付 (2025年度)
配分額 *注記
18,850千円 (直接経費: 14,500千円、間接経費: 4,350千円)
2028年度: 2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
2027年度: 3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円)
2026年度: 7,410千円 (直接経費: 5,700千円、間接経費: 1,710千円)
2025年度: 4,810千円 (直接経費: 3,700千円、間接経費: 1,110千円)
キーワード量子ドット / 発光デバイス
研究開始時の研究の概要

塗布形成可能なコロイド状量子ドット無機半導体(QD)は、量子閉じ込め効果に基づく同一材料により、粒径サイズの変化で発光色可変・半値幅が狭く色純度の高い等の次世代発光材料として優位な特徴がある。しかし、真空プロセスによる無機半導体薄膜形成に比べて、塗布薄膜は多くの表面欠陥準位が存在する問題がある。コロイド状QD等の塗布型無機半導体の半導体表面を有機分子である配位子や自己組織化単分子膜で表面を被覆することで、表面欠陥を修復し、エネルギー準位を制御することで電気的・光学的な機能を発現させ、発光デバイス応用へ繋げる。

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公開日: 2025-04-17   更新日: 2025-06-20  

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