絶縁膜上における極薄半導体膜の固相成長の探求と次世代トランジスタへの展開

• 研究課題/領域番号: 25K01268
• 研究種目: 基盤研究(B)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分21050:電気電子材料工学関連
• 研究機関: 九州大学
• 研究代表者: 佐道 泰造 九州大学, システム情報科学研究院, 准教授 (20274491)
• 研究期間 (年度): 2025-04-01 – 2030-03-31
• 研究課題ステータス: 採択 (2025年度)
• 配分額: 18,850千円 (直接経費: 14,500千円、間接経費: 4,350千円); 2029年度: 2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円); 2028年度: 3,510千円 (直接経費: 2,700千円、間接経費: 810千円); 2027年度: 3,380千円 (直接経費: 2,600千円、間接経費: 780千円); 2026年度: 3,380千円 (直接経費: 2,600千円、間接経費: 780千円); 2025年度: 5,850千円 (直接経費: 4,500千円、間接経費: 1,350千円)