絶縁膜上における極薄半導体膜の固相成長の探求と次世代トランジスタへの展開

• 研究課題/領域番号: 25K01268
• 研究種目: 基盤研究(B)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分21050:電気電子材料工学関連
• 研究機関: 九州大学
• 研究代表者: 佐道 泰造 九州大学, 総合理工学研究院, 教授 (20274491)
• 研究期間 (年度): 2025-04-01 – 2030-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2025年度)
• 配分額: 18,850千円 (直接経費: 14,500千円、間接経費: 4,350千円); 2029年度: 2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円); 2028年度: 3,510千円 (直接経費: 2,700千円、間接経費: 810千円); 2027年度: 3,380千円 (直接経費: 2,600千円、間接経費: 780千円); 2026年度: 3,380千円 (直接経費: 2,600千円、間接経費: 780千円); 2025年度: 5,850千円 (直接経費: 4,500千円、間接経費: 1,350千円)
• キーワード: 半導体 / 結晶成長 / トランジスタ

研究開始時の研究の概要

集積回路は、AIや自動運転技術など、現代社会を支えるあらゆるシステムの基盤技術である。したがって、よりゆたかで安全・安心な社会を構築するには、集積回路の性能向上が必須である。本研究では、絶縁膜上に極薄半導体薄膜を高品位形成するための新しい集積回路製造プロセスを開発することで、次世代集積回路の基盤技術を創出する。