フェリ磁性バルクスピン軌道トルクが拓く省電力、高速、安価なメモリ＆ロジックの創成

• 研究課題/領域番号: 25K01273
• 研究種目: 基盤研究(B)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分21050:電気電子材料工学関連
• 研究機関: 豊田工業大学
• 研究代表者: 粟野 博之 豊田工業大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (40571675)
• 研究分担者: 仲谷 栄伸 電気通信大学, 大学院情報理工学研究科, 教授 (20207814)
• 研究期間 (年度): 2025-04-01 – 2028-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2025年度)
• 配分額: 18,850千円 (直接経費: 14,500千円、間接経費: 4,350千円); 2027年度: 5,720千円 (直接経費: 4,400千円、間接経費: 1,320千円); 2026年度: 6,500千円 (直接経費: 5,000千円、間接経費: 1,500千円); 2025年度: 6,630千円 (直接経費: 5,100千円、間接経費: 1,530千円)
• キーワード: フェリ磁性細線メモリ / フェリ磁性細線ロジック / 高速磁壁駆動 / バルクSOT / ナノインプリント磁性細線

研究開始時の研究の概要

データセンタの深刻な電力問題対策として、磁性細線メモリが注目されている。この記録材料として希土類遷移金属フェリ磁性合金を利用した「バルクスピン軌道トルク」により、磁壁移動度を桁違いに増大できた。更なる性能向上には細線エッジ付近の改良が必要である。そこで、細線エッジ対策として①細線エッジの物理的、磁気的欠陥のマイナスの影響をプラスに変える方法、②新しいナノインプリント磁性細線作成法により本質的に細線エッジ問題を解決する方法、③理想的磁壁構造を作る新規熱スピン流記録法、④細線エッジを考慮した磁性細線ロジック演算法を開拓し、安価で、省電力で高速駆動可能な革新的メモリ＆ロジックの基盤技術を確立する。