カルーセルスパッタ法を用いた高周波対応貴金属フリーナノグラニュラー薄膜の作製

• 研究課題/領域番号: 25K01274
• 研究種目: 基盤研究(B)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分21050:電気電子材料工学関連
• 研究機関: 公益財団法人電磁材料研究所
• 研究代表者: 直江 正幸 公益財団法人電磁材料研究所, その他部局等, 研究員 (50533725)
• 研究分担者: 三上 貴大 国立研究開発法人情報通信研究機構, 電磁波研究所電磁波標準研究センター, 研究員 (41000665) ; 室賀 翔 東北大学, 工学研究科, 准教授 (60633378) ; 小林 伸聖 公益財団法人電磁材料研究所, その他部局等, 研究員 (70205475) ; 鈴木 一行 公益財団法人電磁材料研究所, その他部局等, 研究員 (70562940)
• 研究期間 (年度): 2025-04-01 – 2028-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2025年度)
• 配分額: 18,720千円 (直接経費: 14,400千円、間接経費: 4,320千円); 2027年度: 2,860千円 (直接経費: 2,200千円、間接経費: 660千円); 2026年度: 3,770千円 (直接経費: 2,900千円、間接経費: 870千円); 2025年度: 12,090千円 (直接経費: 9,300千円、間接経費: 2,790千円)
• キーワード: ナノグラニュラー磁性薄膜 / 貴金属フリー / カルーセルスパッタ / 透磁率 / 高周波

研究開始時の研究の概要

高周波磁性薄膜には、近未来の電気電子機器の小型化・高効率化・電磁ノイズ抑制等、多大なメリットがある。磁性ナノ粒子が結晶配向して絶縁体中に分散したナノグラニュラー磁性薄膜は高周波特性に優れるが、従来は膜の更なる高周波化に貴金属添加が必要であった。しかし、貴金属は非磁性元素故に、他方で磁気特性を劣化させた。カルーセルスパッタは、本膜へ積極的に結晶配向や異方的な歪みを導入することで、貴金属フリーで高透磁率を保ちながら高周波に特性を延ばせる可能性を有する手法である。そのようなナノグラニュラー膜の達成により、周波数上限が延長された電磁ノイズ抑制効果や透磁率の計測技術開発にも貢献する。