high-OP/high-k絶縁膜スタック構造を用いたグラフェンFETの高移動度化

• 研究課題/領域番号: 25K01278
• 研究種目: 基盤研究(B)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分21050:電気電子材料工学関連
• 研究機関: 国立研究開発法人産業技術総合研究所
• 研究代表者: 沖川 侑揮 国立研究開発法人産業技術総合研究所, 材料・化学領域, 主任研究員 (50635315)
• 研究期間 (年度): 2025-04-01 – 2029-03-31
• 研究課題ステータス: 採択 (2025年度)
• 配分額: 25,480千円 (直接経費: 19,600千円、間接経費: 5,880千円); 2028年度: 5,980千円 (直接経費: 4,600千円、間接経費: 1,380千円); 2027年度: 5,980千円 (直接経費: 4,600千円、間接経費: 1,380千円); 2026年度: 5,980千円 (直接経費: 4,600千円、間接経費: 1,380千円); 2025年度: 7,540千円 (直接経費: 5,800千円、間接経費: 1,740千円)