多数の光渦の同軸干渉に立脚した革新的極微細レーザー描画露光法の創出

• 研究課題/領域番号: 25K01285
• 研究種目: 基盤研究(B)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
• 研究機関: 長岡技術科学大学
• 研究代表者: 坂本 盛嗣 長岡技術科学大学, 工学研究科, 准教授 (60757300)
• 研究期間 (年度): 2025-04-01 – 2029-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2025年度)
• 配分額: 18,720千円 (直接経費: 14,400千円、間接経費: 4,320千円); 2028年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円); 2027年度: 7,800千円 (直接経費: 6,000千円、間接経費: 1,800千円); 2026年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円); 2025年度: 6,760千円 (直接経費: 5,200千円、間接経費: 1,560千円)
• キーワード: レーザー描画露光 / フォトリソグラフィ / 光渦 / 干渉 / 幾何学的位相

研究開始時の研究の概要

レーザー描画露光法は金属や誘電体微細構造から成る電子・光デバイスの開発において必要不可欠な要素技術であるが、その加工線幅の微細化と加工深さの伸長化は、ガウス光の集光特性上互いにトレードオフの関係にある。本研究計画では、申請者がこれまでに開発した光渦同軸干渉光を利用したレーザー描画露光法において、２つの光渦の同軸干渉で「極微細暗線スポット」を形成するというこれ迄の発想を転換させ、多数の光渦の同軸干渉により「極微細明線スポット」を形成する手法を新たに確立する。さらに、長焦点深度と微細提案手法の実用性を実証するために、レーザー描画露光装置を構築し、高アスペクト比の微細周期構造の形成を行う。