準表面プラズモン共鳴によるシリコンイメージセンサの近赤外感度向上基盤技術の確立

• 研究課題/領域番号: 25K01286
• 研究種目: 基盤研究(B)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
• 研究機関: 静岡大学
• 研究代表者: 小野 篤史 静岡大学, 電子工学研究所, 教授 (20435639)
• 研究期間 (年度): 2025-04-01 – 2028-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2025年度)
• 配分額: 18,720千円 (直接経費: 14,400千円、間接経費: 4,320千円); 2027年度: 6,370千円 (直接経費: 4,900千円、間接経費: 1,470千円); 2026年度: 5,460千円 (直接経費: 4,200千円、間接経費: 1,260千円); 2025年度: 6,890千円 (直接経費: 5,300千円、間接経費: 1,590千円)
• キーワード: シリコンイメージセンサ / 表面プラズモン

研究開始時の研究の概要

本研究課題は，自動運転技術や生体計測技術など近年重要視されている近赤外イメージング分野において，非常に高い近赤外感度を有するシリコンイメージセンサを開発するための基盤技術を創出する研究である．プラズモニクスとイメージセンサとを融合した新たな学術領域の開拓により本研究課題解決に取り組む．