低温固相結晶化による疑似単結晶酸化インジウムトランジスタの創成

• 研究課題/領域番号: 25K01291
• 研究種目: 基盤研究(B)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
• 研究機関: 高知工科大学
• 研究代表者: 古田 守 高知工科大学, 理工学群, 教授 (20412439)
• 研究期間 (年度): 2025-04-01 – 2028-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2025年度)
• 配分額: 18,720千円 (直接経費: 14,400千円、間接経費: 4,320千円); 2027年度: 4,810千円 (直接経費: 3,700千円、間接経費: 1,110千円); 2026年度: 4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円); 2025年度: 9,360千円 (直接経費: 7,200千円、間接経費: 2,160千円)
• キーワード: 酸化物半導体 / 電界効果トランジスタ / 酸化インジウム / 疑似単結晶 / 固相結晶化

研究開始時の研究の概要

酸化物半導体電界効果トランジスタ（FET）はシリコンFETでは実現不可能な極めて低いリーク電流を特徴とし、低消費電力化への貢献が期待されている。代表的な酸化物半導体材料である非晶質InGaZnO FETの電界効果移動度は非晶質シリコン FETの10倍大きいが、更なる高移動度化の要望が強い。本研究では従来のIGZO FETが持つ優れた特徴は維持しつつ、大幅な電子移動度向上を目的に結晶性酸化物半導体FETに取り組む。その実現に向け本研究は酸化インジウム薄膜の結晶核密度制御ならびに低温固相結晶化法による結晶粒径の増大とFET微細化を同時に推進することにより、チャネルに結晶粒界が存在しない、疑似単結晶酸化インジウム FETを創出する。