高次モードScAlNエピブラッグ反射器を用いたマイクロセンサ

• 研究課題/領域番号: 25K01296
• 研究種目: 基盤研究(B)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
• 研究機関: 早稲田大学
• 研究代表者: 柳谷 隆彦 早稲田大学, 理工学術院, 教授 (10450652)
• 研究分担者: 高柳 真司 同志社大学, 生命医科学部, 准教授 (00735326) ; 吉田 憲司 千葉大学, フロンティア医工学センター, 准教授 (10572985) ; 鈴木 雅視 山梨大学, 大学院総合研究部, 准教授 (60763852) ; 賈 軍軍 早稲田大学, 理工学術院, 教授(任期付) (80646737)
• 研究期間 (年度): 2025-04-01 – 2030-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2025年度)
• 配分額: 18,980千円 (直接経費: 14,600千円、間接経費: 4,380千円); 2029年度: 5,070千円 (直接経費: 3,900千円、間接経費: 1,170千円); 2028年度: 7,280千円 (直接経費: 5,600千円、間接経費: 1,680千円); 2027年度: 2,860千円 (直接経費: 2,200千円、間接経費: 660千円); 2026年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円); 2025年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
• キーワード: 圧電薄膜共振子

研究開始時の研究の概要

c軸傾斜ScAlN薄膜を用いたセンサの圧電性能の向上を目指して、
下記の４つ項目に関連して、成膜実験、デバイス作製実験、測定系の構築、評価測定およびMasonの等価回路モデルを用いたシミュレーション比較を行う。
①c軸傾斜ScAlN薄膜のエピタキシャル成長による単結晶化、「目的」：圧電性向上、耐電力性向上、GHz動作
②分極反転成長「目的」：耐電力性向上、センサ面積拡大
③エピタキシャル圧電薄膜によるGHz帯共振子「目的」：圧電性向上、耐電力性向上、 GHz動作
④すべりモードブラッグ反射器「目的」： 耐電力性向上、GHz動作