| 研究課題/領域番号 |
25K01533
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
小区分26040:構造材料および機能材料関連
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| 研究機関 | 京都先端科学大学 |
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研究代表者 |
生津 資大 京都先端科学大学, 工学部, 教授 (90347526)
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| 研究分担者 |
中村 康一 京都先端科学大学, 工学部, 教授 (20314239)
松本 龍介 京都先端科学大学, 工学部, 教授 (80363414)
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| 研究期間 (年度) |
2025-04-01 – 2028-03-31
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| 研究課題ステータス |
交付 (2025年度)
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| 配分額 *注記 |
18,850千円 (直接経費: 14,500千円、間接経費: 4,350千円)
2027年度: 4,290千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 990千円)
2026年度: 4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2025年度: 10,010千円 (直接経費: 7,700千円、間接経費: 2,310千円)
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| キーワード | 電子線照射 / シリコンナノドット / Si酸化膜 / 高強度化 / ナノメカニカルヒューズ |
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| 研究開始時の研究の概要 |
本研究では，二次元パターン状に電子線をベクタースキャンしてSi-ND群を人為的に配列形成してSi等の酸化物の強度を能動的にコントロールする技術を確立すること，そこで得られた知見や技術を利用して超高感度かつ壊れないナノひずみセンサ・スイッチ素子の新奇メカニズムを提案すること，の2つを実施する．実験と計算を巧みに組み合わせ，電子線による局所還元メカニズムの理解から強度制御，センサ応用まで実施する．
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