| 研究課題/領域番号 |
25K01576
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
小区分27020:反応工学およびプロセスシステム工学関連
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| 研究機関 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
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研究代表者 |
川村 史朗 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 電子・光機能材料研究センター, 主幹研究員 (80448092)
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| 研究分担者 |
反保 衆志 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エネルギー・環境領域, 主任研究員 (20392631)
村田 秀信 一般財団法人ファインセラミックスセンター, その他部局等, 上級研究員 (30726287)
山田 直臣 中部大学, 工学部, 教授 (50398575)
永井 武彦 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エネルギー・環境領域, 主任研究員 (70415719)
大島 祐一 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 電子・光機能材料研究センター, 主幹研究員 (70623528)
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| 研究期間 (年度) |
2025-04-01 – 2028-03-31
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| 研究課題ステータス |
交付 (2025年度)
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| 配分額 *注記 |
18,720千円 (直接経費: 14,400千円、間接経費: 4,320千円)
2027年度: 5,590千円 (直接経費: 4,300千円、間接経費: 1,290千円)
2026年度: 5,200千円 (直接経費: 4,000千円、間接経費: 1,200千円)
2025年度: 7,930千円 (直接経費: 6,100千円、間接経費: 1,830千円)
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| キーワード | 高圧 / 薄膜 / 相転移 / 半導体 / 結晶化 |
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| 研究開始時の研究の概要 |
超高圧下では様々な物質において、①高圧相転移の誘起、②分解温度や融点の上昇、③ドーピング効率の向上、④結晶性の改善といった多くの効果を引き出すことが出来るが、これらはバルク体に応用しようとする試みがほとんどであり、薄膜に展開する研究例はほとんど皆無である.
ごく最近、申請者らは『薄膜サンプルに対してGPa級の超高圧アニールを行う手法』を開発し、物性評価に十分な5mm角サイズの薄膜サンプルを破損無く回収する技術を確立した. 本手法を用い、GPa級の高圧下でワイドギャップ半導体を高温アニールし、半導体物性に与える影響を調査する.
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