超高圧アニールを用いた高機能性半導体薄膜の開発

• 研究課題/領域番号: 25K01576
• 研究種目: 基盤研究(B)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分27020:反応工学およびプロセスシステム工学関連
• 研究機関: 国立研究開発法人物質・材料研究機構
• 研究代表者: 川村 史朗 国立研究開発法人物質・材料研究機構, ナノアーキテクトニクス材料研究センター, 主幹研究員 (80448092)
• 研究期間 (年度): 2025-04-01 – 2028-03-31
• 研究課題ステータス: 採択 (2025年度)
• 配分額: 18,720千円 (直接経費: 14,400千円、間接経費: 4,320千円); 2027年度: 5,590千円 (直接経費: 4,300千円、間接経費: 1,290千円); 2026年度: 5,200千円 (直接経費: 4,000千円、間接経費: 1,200千円); 2025年度: 7,930千円 (直接経費: 6,100千円、間接経費: 1,830千円)