超格子構造に基づくペロブスカイト量子ドット光電子デバイスの創製

• 研究課題/領域番号: 25K01615
• 研究種目: 基盤研究(B)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分28030:ナノ材料科学関連
• 研究機関: 山形大学
• 研究代表者: 千葉 貴之 山形大学, 大学院有機材料システム研究科, 教授 (20751811)
• 研究分担者: 西辻 祥太郎 山形大学, 大学院有機材料システム研究科, 准教授 (00564858) ; 山門 陵平 山形大学, 大学院有機材料システム研究科, 准教授 (90735549) ; 大音 隆男 山形大学, 大学院理工学研究科, 准教授 (20749931)
• 研究期間 (年度): 2025-04-01 – 2028-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2025年度)
• 配分額: 18,720千円 (直接経費: 14,400千円、間接経費: 4,320千円); 2027年度: 4,940千円 (直接経費: 3,800千円、間接経費: 1,140千円); 2026年度: 4,940千円 (直接経費: 3,800千円、間接経費: 1,140千円); 2025年度: 8,840千円 (直接経費: 6,800千円、間接経費: 2,040千円)
• キーワード: ペロブスカイト / 量子ドット / 光電デバイス

研究開始時の研究の概要

ペロブスカイト量子ドットの自在配列接着分子を用いた3次元超格子構造を創製する。具体的にはコア/マルチシェル構造による安定な0次元超格子量子ドットの構築、熱脱離分子接着による高伝導性3次元超格子の創製、安定な3次元超格子構造を基盤とした光電デバイスの創製を行う。これにより、ペロブスカイト量子ドット超格子構造に基づく革新的光電子デバイスを創出する。