トポロジー変換によるHexagonal-Ⅳ族薄膜結晶作製とバンドエンジニアリング

• 研究課題/領域番号: 25K01617
• 研究種目: 基盤研究(B)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分28030:ナノ材料科学関連
• 研究機関: 東京大学
• 研究代表者: 安武 裕輔 東京大学, 大学院総合文化研究科, 技術専門職員 (10526726)
• 研究分担者: 深津 晋 東京大学, 大学院総合文化研究科, 教授 (60199164)
• 研究期間 (年度): 2025-04-01 – 2029-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2025年度)
• 配分額: 18,850千円 (直接経費: 14,500千円、間接経費: 4,350千円); 2028年度: 2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円); 2027年度: 2,600千円 (直接経費: 2,000千円、間接経費: 600千円); 2026年度: 5,070千円 (直接経費: 3,900千円、間接経費: 1,170千円); 2025年度: 8,450千円 (直接経費: 6,500千円、間接経費: 1,950千円)
• キーワード: Germanium / Hexagonal / Germanene / Germanane / Epitaxy

研究開始時の研究の概要

本研究では、(1)アルカリ土類介在結晶成長手法と(2)半導体バレー散乱追跡に特化した分光手法、それぞれ2つの独自性ある手法を駆使して、(i)Hexagonal構造を有する14族半導体(主にゲルマニウム(Ge)とシリコン(Si))の結晶薄膜成長手法の確立、(ii)hexagonal-14族半導体に期待される発光機構増大・キャリア移動度向上といった次世代半導体材料に資する機能発現の実証を目指した実験的研究を推進する。