アンチストークス発光による半導体光学冷却－オプトクライオジェニクスの創成－

• 研究課題/領域番号: 25K01649
• 研究種目: 基盤研究(B)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分29010:応用物性関連
• 研究機関: 千葉大学
• 研究代表者: 山田 泰裕 千葉大学, 大学院理学研究院, 教授 (50532636)
• 研究分担者: 小島 一信 大阪大学, 大学院工学研究科, 教授 (30534250)
• 研究期間 (年度): 2025-04-01 – 2028-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2025年度)
• 配分額: 18,720千円 (直接経費: 14,400千円、間接経費: 4,320千円); 2027年度: 2,600千円 (直接経費: 2,000千円、間接経費: 600千円); 2026年度: 7,930千円 (直接経費: 6,100千円、間接経費: 1,830千円); 2025年度: 8,190千円 (直接経費: 6,300千円、間接経費: 1,890千円)
• キーワード: ハロゲン化金属ペロブスカイト / 電子-フォノン相互作用 / レーザー冷却

研究開始時の研究の概要

本研究では、半導体を用いた固体光学冷却の手法を高度化し、光による低温技術の革新＝オプトクライオジェニクスという新領域を開拓する。時空間分解分光と量子効率計測、数値シミュレーションを組み合わせることで、AS冷却メカニズムの完全解明を目指す。得られた知見を基に冷却能力を向上させる具体的な方法を考案し、100 K以下の到達温度を目標として材料やデバイス構造を最適化する。