π共役系高分子の集積構造制御による物性開発

• 研究課題/領域番号: 25K01656
• 研究種目: 基盤研究(B)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分29010:応用物性関連
• 研究機関: 公立千歳科学技術大学
• 研究代表者: 田中 久暁 公立千歳科学技術大学, 理工学部, 准教授 (50362273)
• 研究期間 (年度): 2025-04-01 – 2028-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2025年度)
• 配分額: 18,850千円 (直接経費: 14,500千円、間接経費: 4,350千円); 2027年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円); 2026年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円); 2025年度: 14,950千円 (直接経費: 11,500千円、間接経費: 3,450千円)
• キーワード: 導電性高分子 / 薄膜トランジスタ / キャリアドーピング / 電子スピン共鳴 / 電荷輸送

研究開始時の研究の概要

本研究では、導電性高分子の分子構造および集積構造と物性・伝導性の相関をミクロな視点から明らかにするため、キャリアのスピンをミクロに検出できる電子スピン共鳴(ESR)法をデバイス構造と組み合わせ、デバイス駆動をもたらす領域の物性機能や分子配向を局所的かつミクロに明らかにする。ESR法を用いることで、キャリアドーピングに伴う金属転移や基板界面における局所配向など、デバイス性能を左右する因子を多様な新材料について明らかにし、革新的なデバイス機能発現をもたらす材料・素子設計の指針を確立する。