人工界面に依存しない磁気交換バイアス材料の新規創製と実用化に向けた研究

• 研究課題/領域番号: 25K01657
• 研究種目: 基盤研究(B)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分29010:応用物性関連
• 研究機関: 国立研究開発法人物質・材料研究機構
• 研究代表者: 山浦 一成 国立研究開発法人物質・材料研究機構, ナノアーキテクトニクス材料研究センター, グループリーダー (70391216)
• 研究分担者: BELIK Alexei 国立研究開発法人物質・材料研究機構, ナノアーキテクトニクス材料研究センター, 主席研究員 (20421430) ; 辻本 吉廣 国立研究開発法人物質・材料研究機構, ナノアーキテクトニクス材料研究センター, 主幹研究員 (50584075) ; 吉田 紘行 北海道大学, 理学研究院, 教授 (30566758)
• 研究期間 (年度): 2025-04-01 – 2028-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2025年度)
• 配分額: 18,850千円 (直接経費: 14,500千円、間接経費: 4,350千円); 2027年度: 3,640千円 (直接経費: 2,800千円、間接経費: 840千円); 2026年度: 4,940千円 (直接経費: 3,800千円、間接経費: 1,140千円); 2025年度: 10,270千円 (直接経費: 7,900千円、間接経費: 2,370千円)
• キーワード: 磁気交換バイアス / 高温高圧合成 / Cd2FeOsO6 / ダブルペロブスカイト

研究開始時の研究の概要

人工的な磁性界面に依存しない磁気交換バイアス効果を示す新しいバルク材料を創製し、その発現機構を実験と理論の両面から解明する。Cd2FeOsO6などの高圧合成酸化物を対象に構造・磁気特性を詳細に評価し、実用材料としての可能性とデバイス応用展開を探る。