ファンホーベ特異点とヘリカルスピン構造をもつモアレヘテロ界面の量子物性解明

研究課題

研究課題/領域番号	25K01670
研究種目	基盤研究(B)
配分区分	基金
応募区分	一般
審査区分	小区分29020:薄膜および表面界面物性関連
研究機関	国立研究開発法人物質・材料研究機構
研究代表者	内橋隆国立研究開発法人物質・材料研究機構, ナノアーキテクトニクス材料研究センター, 副センター長 (90354331)
研究分担者	山地洋平国立研究開発法人物質・材料研究機構, ナノアーキテクトニクス材料研究センター, グループリーダー (00649428)
研究期間 (年度)	2025-04-01 – 2028-03-31
研究課題ステータス	交付 (2025年度)
配分額 *注記	18,850千円 (直接経費: 14,500千円、間接経費: 4,350千円) 2027年度: 5,200千円 (直接経費: 4,000千円、間接経費: 1,200千円) 2026年度: 5,200千円 (直接経費: 4,000千円、間接経費: 1,200千円) 2025年度: 8,450千円 (直接経費: 6,500千円、間接経費: 1,950千円)
キーワード	モアレヘテロ界面 / アンチモネン / ビスマス / ファンホーベ特異点 / スピン軌道相互作用
研究開始時の研究の概要	近年、グラフェンを代表とする２次元物質のモアレ積層構造において多彩な量子物性が発見され、世界的に大きな注目を集めている。一方で、対象となる材料は試料作製上の制限からグラフェンや遷移金属ダイカルコゲナイド(TMDC)・窒化ホウ素(h-BN)にほぼ限定されてきた。本課題では、強いスピン軌道相互作用を有する、ビスマス表面上の原子層アンチモン（アンチモネン）から構成されるモアレヘテロ界面を研究対象とする。この系で発見された強いスピン軌道相互作用によりスピン偏極したファンホーベ特異点がもたらす量子物性や、Z2トポロジカル表面状態に対するモアレ変調の効果を明らかにする。