人工散乱体によるランダウ量子化表面状態の散乱と局在現象

• 研究課題/領域番号: 25K01671
• 研究種目: 基盤研究(B)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分29020:薄膜および表面界面物性関連
• 研究機関: 国立研究開発法人物質・材料研究機構
• 研究代表者: 鷺坂 恵介 国立研究開発法人物質・材料研究機構, マテリアル基盤研究センター, 主幹研究員 (70421401)
• 研究期間 (年度): 2025-04-01 – 2028-03-31
• 研究課題ステータス: 採択 (2025年度)
• 配分額: 18,720千円 (直接経費: 14,400千円、間接経費: 4,320千円); 2027年度: 4,290千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 990千円); 2026年度: 6,630千円 (直接経費: 5,100千円、間接経費: 1,530千円); 2025年度: 7,800千円 (直接経費: 6,000千円、間接経費: 1,800千円)