マイクロ波を用いた半導体デバイス材料の点欠陥焼鈍機構の解明

• 研究課題/領域番号: 25K01677
• 研究種目: 基盤研究(B)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分30010:結晶工学関連
• 研究機関: 筑波大学
• 研究代表者: 上殿 明良 筑波大学, 数理物質系, 教授 (20213374)
• 研究分担者: 藤井 知 沖縄工業高等専門学校, 情報通信システム工学科, 教授 (30598933) ; 中村 考志 国立研究開発法人産業技術総合研究所, 材料・化学領域, 主任研究員 (80591726)
• 研究期間 (年度): 2025-04-01 – 2028-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2025年度)
• 配分額: 18,720千円 (直接経費: 14,400千円、間接経費: 4,320千円); 2027年度: 6,110千円 (直接経費: 4,700千円、間接経費: 1,410千円); 2026年度: 4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円); 2025年度: 7,930千円 (直接経費: 6,100千円、間接経費: 1,830千円)
• キーワード: 点欠陥 / 焼鈍特性 / マイクロ波焼鈍

研究開始時の研究の概要

欠陥評価に関する既往の研究経験・成果を基盤とし、精密制御されたマイクロ波による焼鈍技術を開発、使用することにより、欠陥近傍の原子挙動について詳しい学術的知見を得る。本研究の学術的独創性は、マイクロ波の電界や磁界がイオン注入された不純物の活性化や欠陥が関与した物性に対してどのように寄与するかに関する学理解明を行うことにある。