液相エピタキシャル法によるβ-Ga2O3厚膜成長と高耐圧パワーデバイスの検討

• 研究課題/領域番号: 25K01679
• 研究種目: 基盤研究(B)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分30010:結晶工学関連
• 研究機関: 信州大学
• 研究代表者: 太子 敏則 信州大学, 学術研究院工学系, 教授 (90397307)
• 研究期間 (年度): 2025-04-01 – 2028-03-31
• 研究課題ステータス: 採択 (2025年度)
• 配分額: 18,720千円 (直接経費: 14,400千円、間接経費: 4,320千円); 2027年度: 3,380千円 (直接経費: 2,600千円、間接経費: 780千円); 2026年度: 3,250千円 (直接経費: 2,500千円、間接経費: 750千円); 2025年度: 12,090千円 (直接経費: 9,300千円、間接経費: 2,790千円)