安定かつ高い電子伝導を実現する超低LUMO準位半導体高分子の創製

• 研究課題/領域番号: 25K01840
• 研究種目: 基盤研究(B)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分35030:有機機能材料関連
• 研究機関: 東北大学
• 研究代表者: 川畑 公輔 東北大学, 理学研究科, 准教授 (10710212)
• 研究期間 (年度): 2025-04-01 – 2029-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2025年度)
• 配分額: 18,720千円 (直接経費: 14,400千円、間接経費: 4,320千円); 2028年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円); 2027年度: 3,380千円 (直接経費: 2,600千円、間接経費: 780千円); 2026年度: 3,770千円 (直接経費: 2,900千円、間接経費: 870千円); 2025年度: 9,490千円 (直接経費: 7,300千円、間接経費: 2,190千円)
• キーワード: n型半導体高分子 / 電子輸送 / LUMO準位 / n型ドーピング

研究開始時の研究の概要

n型半導体高分子において、電子キャリアの安定性向上は長年の課題となっている。本研究では、電子受容性を高める分子構造の工夫により、注入された電子キャリアを安定化し、かつ高い電子伝導を実現する革新的なn型半導体高分子の創製に取り組む。また、得られた半導体高分子の分子構造と電子構造、キャリア注入効率、安定性、キャリア輸送能の関係性を明らかにし、優れたn型半導体高分子の合理的な分子設計指針を確立する。