半導体光触媒粉末に対する異方的・位置選択的組成傾斜導入による長距離内蔵電界の形成

• 研究課題/領域番号: 25K01871
• 研究種目: 基盤研究(B)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分36020:エネルギー関連化学
• 研究機関: 信州大学
• 研究代表者: 影島 洋介 信州大学, 学術研究院工学系, 准教授 (20821846)
• 研究分担者: 錦織 広昌 信州大学, 学術研究院工学系, 教授 (00332677) ; 西村 昂人 東京科学大学, 工学院, 助教 (80822840)
• 研究期間 (年度): 2025-04-01 – 2030-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2025年度)
• 配分額: 18,850千円 (直接経費: 14,500千円、間接経費: 4,350千円); 2029年度: 2,860千円 (直接経費: 2,200千円、間接経費: 660千円); 2028年度: 2,860千円 (直接経費: 2,200千円、間接経費: 660千円); 2027年度: 3,770千円 (直接経費: 2,900千円、間接経費: 870千円); 2026年度: 3,770千円 (直接経費: 2,900千円、間接経費: 870千円); 2025年度: 5,590千円 (直接経費: 4,300千円、間接経費: 1,290千円)
• キーワード: 光触媒粉末 / 水素生成 / 組成傾斜 / 異方性 / 位置選択性

研究開始時の研究の概要

多結晶薄膜太陽電池材料の分野では、組成の傾斜構造に起因する長距離の内蔵電界が、高効率化に重要であることがよく知られる。一方、光触媒粉末において、粒子単位での異方的な電子構造制御の例は無い。また、光触媒反応では酸化・還元サイトが隣接するため、組成傾斜を導入する位置の選択性も重要となる。本研究では、Cu系光触媒粉末に対する異方的・位置選択的な組成傾斜の導入による水素生成活性の向上を実証する。