ダブルペロブスカイト半導体の圧力誘起変調構造と特異な光物性

• 研究課題/領域番号: 25K07179
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分13020:半導体、光物性および原子物理関連
• 研究機関: 筑波大学
• 研究代表者: 松石 清人 筑波大学, 数理物質系, 教授 (10202318)
• 研究期間 (年度): 2025-04-01 – 2028-03-31
• 研究課題ステータス: 採択 (2025年度)
• 配分額: 4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円); 2027年度: 260千円 (直接経費: 200千円、間接経費: 60千円); 2026年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円); 2025年度: 2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)