ダブルペロブスカイト半導体の圧力誘起変調構造と特異な光物性

• 研究課題/領域番号: 25K07179
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分13020:半導体、光物性および原子物理関連
• 研究機関: 筑波大学
• 研究代表者: 松石 清人 筑波大学, 数理物質系, 教授 (10202318)
• 研究期間 (年度): 2025-04-01 – 2028-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2025年度)
• 配分額: 4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円); 2027年度: 260千円 (直接経費: 200千円、間接経費: 60千円); 2026年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円); 2025年度: 2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
• キーワード: ペロブスカイト半導体 / 高圧物性 / 光物性 / 構造相転移 / 変調構造

研究開始時の研究の概要

金属ハライドダブルペロブスカイト半導体の単結晶を対象に、高圧力下で分光実験並びにＸ線回折実験を実施し、圧力誘起による変調構造に由来した長周期構造の出現やリエントラント逐次構造相転移に伴う特異な光応答を調べる。それらの結果と連携させた精密リートベルト解析、DFTによる構造最適化と電子構造計算並びに振動解析を行って精密な物性評価を行う。圧力印加という手段を用いて、金属ハライドダブルペロブスカイト半導体において構造物性と電子・光物性の相関を明らかとし、特異かつ新奇な物性の探索を行う。