SiC表面に自己集積したグラフェンナノリボン列の顕微光電子分光による電子状態の研究

• 研究課題/領域番号: 25K07182
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分13020:半導体、光物性および原子物理関連
• 研究機関: 東京科学大学
• 研究代表者: 小森 文夫 東京科学大学, 物質理工学院, 研究員 (60170388)
• 研究期間 (年度): 2025-04-01 – 2028-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2025年度)
• 配分額: 4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円); 2027年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円); 2026年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円); 2025年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
• キーワード: グラフェンナノリボン / ファセット面 / 集束イオンビーム / 顕微光電子分光

研究開始時の研究の概要

グラフェンナノリボン(GNR)は高性能な電子デバイスへの応用が期待されている。そこで、二つの顕微新手法を組み合わることにより、SiC基板上にエピタキシャルGNRを作製し、その電子状態を明らかにする。最初に、収束イオンビームを用いて方位を定めて１０ミクロン四方のシリコンカーバイド傾斜結晶面を加工する。次に熱分解によって均一な規則的なGNR配列を傾斜結晶面上に作製する。そして、軌道放射光を光源とする顕微スピン角度分解光電子分光を用いて、作製したGNR列試料の基板方位依存スピン電子状態を解明する。