研究課題/領域番号 |
25K07188
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研究種目 |
基盤研究(C)
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配分区分 | 基金 |
応募区分 | 一般 |
審査区分 |
小区分13020:半導体、光物性および原子物理関連
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研究機関 | 上智大学 |
研究代表者 |
欅田 英之 上智大学, 理工学部, 准教授 (50296886)
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研究期間 (年度) |
2025-04-01 – 2028-03-31
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研究課題ステータス |
交付 (2025年度)
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配分額 *注記 |
4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2027年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2026年度: 390千円 (直接経費: 300千円、間接経費: 90千円)
2025年度: 3,380千円 (直接経費: 2,600千円、間接経費: 780千円)
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キーワード | 過渡吸収分光法 |
研究開始時の研究の概要 |
本研究では、フラッシュホトリシス法に代わる新たな過渡吸収分光法の構築を行う。 過渡吸収分光法ではポンプパルスで物質を励起し、その後の変化をプローブパルスで観測するが、光路長を変えることによる遅延時間の長さには限界がある。さらに、励起後の状態の推移を知るには白色のプローブが必要となる。そのため、ナノ秒以上の長い励起状態に対する過渡吸収分光では、多くの場合、白色キセノンランプが用いられている。これに対して本研究ではQスイッチパルス光源をプローブ光源として用い、フラッシュホトリシス法よりも適用範囲が広い過渡吸収の測定系を実現する。
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