| 研究課題/領域番号 |
25K07189
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
小区分13020:半導体、光物性および原子物理関連
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| 研究機関 | 東京都市大学 |
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研究代表者 |
勝本 信吾 東京都市大学, 理工学部, 特任教授 (10185829)
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| 研究期間 (年度) |
2025-04-01 – 2028-03-31
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| 研究課題ステータス |
交付 (2025年度)
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| 配分額 *注記 |
4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2027年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2026年度: 2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
2025年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
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| キーワード | 量子ドット / スピン軌道相互作用 / 低次元正孔系 |
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| 研究開始時の研究の概要 |
ゲルマニウム(Ge)の２次元正孔系(2DHG)のスピン軌道相互作用(SOI)の由来を，面方位の異なるシリコン基板上に成長した2DHGでのSOIの大きさの違いを調べることで明らかにする．この結果を通して，Ge量子ドットの電子スピンの，より高速で安定な制御を可能にする．
この知見を応用した量子ビットデバイスを作製し，電気的スピン制御と光学的なスピン検知の組み合わせにより，大規模量子コンピューターの実現に資する情報・技術を得る．
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