動的フラストレーションにより誘起される磁気ポーラロンスピングラス状態に関する研究

• 研究課題/領域番号: 25K07196
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分13030:磁性、超伝導および強相関系関連
• 研究機関: 東北大学
• 研究代表者: 李 徳新 東北大学, 金属材料研究所, 助教 (40281985)
• 研究分担者: 本間 佳哉 東北大学, 金属材料研究所, 助教 (00260448) ; 三宅 厚志 東北大学, 金属材料研究所, 准教授 (10397763) ; 青木 大 東北大学, 金属材料研究所, 教授 (30359541)
• 研究期間 (年度): 2025-04-01 – 2028-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2025年度)
• 配分額: 4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円); 2027年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円); 2026年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円); 2025年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
• キーワード: スピングラス / フラストレーション / 磁気ポーラロン

研究開始時の研究の概要

私たちは、非化学量論的EuTe0.9とGdAs0.95においてスピングラス（SG）のような挙動を初めて観測した。これはまだ報告されていない動的フラストレーションに起因する束縛磁気ポーラロンSG現象であると考えられる。本研究では、磁性半導体EuTe1-nと磁性半金属GdAs1-nを主なターゲットにして、以下の研究を行う。(1)精密な物性測定を実施し、磁気ポーラロンSG現象の発生を徹底的に検証する。(2)外場(磁場、圧力、化学量論比の調整)によりポーラロンSG挙動を効果的に制御し、その独特の変動則を明らかにする。(3)従来のSGと比較して、磁気ポーラロンSG挙動のユニークなメカニズムを解明する。