高強度電磁場によるトポロジカルスピン構造とスピン整流の生成制御についての理論

• 研究課題/領域番号: 25K07198
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分13030:磁性、超伝導および強相関系関連
• 研究機関: 千葉大学
• 研究代表者: 佐藤 正寛 千葉大学, 大学院理学研究院, 教授 (90425570)
• 研究期間 (年度): 2025-04-01 – 2028-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2025年度)
• 配分額: 4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円); 2027年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円); 2026年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円); 2025年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
• キーワード: 高強度電磁場 / トポロジカル磁気欠陥 / 非平衡スピンダイナミクス / 電場誘起磁気相互作用 / 光整流

研究開始時の研究の概要

近年、物質に高強度の電磁場や電磁波(レーザー)を印加することが可能となってきた。それと同時に、非平衡物理学や計算機アルゴリズムの進化により、強電磁場下の物質系のミクロ理論に基づく解析も可能になりつつある。以上を踏まえて、強電磁場・強電磁波を印加することで初めて創発する物性を定量的に予言し、それに基づく物質新機能を提案する。特に、強電磁場による磁気秩序やトポロジカル磁気テクスチャ(スキルミオンやヘッジホッグ)の生成制御法と高強度レーザーによるスピン流・熱流整流現象の提案を目指す。