ツイストロニクスにおけるフラットバンド超伝導接合系の理論

• 研究課題/領域番号: 25K07203
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分13030:磁性、超伝導および強相関系関連
• 研究機関: 名古屋大学
• 研究代表者: 矢田 圭司 名古屋大学, 工学研究科, 助教 (40377916)
• 研究分担者: 田仲 由喜夫 名古屋大学, 工学研究科, 教授 (40212039) ; 深谷 優梨 岡山大学, 環境生命自然科学学域, 助教 (41000649) ; 大成 誠一郎 名古屋大学, 理学研究科, 准教授 (80402535)
• 研究期間 (年度): 2025-04-01 – 2029-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2025年度)
• 配分額: 4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円); 2028年度: 260千円 (直接経費: 200千円、間接経費: 60千円); 2027年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円); 2026年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円); 2025年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
• キーワード: モアレ格子物質

研究開始時の研究の概要

モアレ格子はその狭いバンド幅ゆえ、少しのキャリア数によって様々な電子状態が実現し、それらの状態を外的に制御するのに適した物質である。デバイスへの応用を考える際に重要な問題は電極など他の物質との接合した際の電気伝導がどのようになるのかという問題である。特に重要な問題は、接合界面近傍の電子状態である。半導体、絶縁体及び超伝導体などバルクでエネルギーギャップを持つ物質においては、しばしば表面においてギャップ内状態が形成され、そのギャップ内状態が接合した際の電気伝導に寄与する。モアレ格子物質において、表面状態を明らかにすることが応用上において重要な課題の一つであり、本研究ではその問題に取り組む。