研究課題
基盤研究(C)
構造相転移と絶縁体化が同時におこる低次元半導体Ta2NiSe5は、電子相関の強い励起子絶縁体として注目され、励起子凝縮の前駆現象であるプリフォームド励起子の研究や、電子相関の弱い領域での新奇な非従来型励起子凝縮と励起子揺らぎ超伝導の理論研究へ発展している。一方で、電子相関だけでなく格子の重要性も指摘されている。本研究では、元素置換物質を合成し、絶縁体化における電子相関と格子変形の関係の解明を課題とする。また、元素置換および圧力によって実験的に未到達である電子相関の弱い領域での励起子由来の新奇物性探索を行う。
