界面スピンオービトロニクス機能の創出と電界制御に関する第一原理計算

• 研究課題/領域番号: 25K07225
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分13030:磁性、超伝導および強相関系関連
• 研究機関: 三重大学
• 研究代表者: 中村 浩次 三重大学, 工学研究科, 教授 (70281847)
• 研究期間 (年度): 2025-04-01 – 2029-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2025年度)
• 配分額: 4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円); 2028年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円); 2027年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円); 2026年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円); 2025年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
• キーワード: 第一原理計算 / 界面スピンオービトロニクス / 垂直磁気異方性 / スピンホール効果と軌道ホール効果 / 反強磁性体マグノン

研究開始時の研究の概要

次のスピントロニクスでは、素子機能の高速性・大容量性と共に少ない消費電力を供する材料や素子機能の拡張を導く新材料の探索が求められている。この背景のもと、第一原理計算（手法開発を含む）を用いて以下実施する。①高集積度の磁気メモリ開発に向けて、界面磁気異方性またその電界効果が大きい磁気トンネル接合界面構造を提案する。②高速動作の磁気メモリ開発に向けて、スピン流・軌道流の生成効率が大きくなる磁性金属/重金属界面構造を提案する。③反強磁性体スピントロニクスに向けて、反強磁性体及び層状磁性体のスピンダイナミックスを系統的・定量的に予測する。