パルスレーザー照射によるレニウム添加を利用したタングステンの再結晶の抑制

• 研究課題/領域番号: 25K07257
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分14020:核融合学関連
• 研究機関: 北海道大学
• 研究代表者: 信太 祐二 北海道大学, 工学研究院, 助教 (80446450)
• 研究期間 (年度): 2025-04-01 – 2028-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2025年度)
• 配分額: 4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円); 2027年度: 520千円 (直接経費: 400千円、間接経費: 120千円); 2026年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円); 2025年度: 3,510千円 (直接経費: 2,700千円、間接経費: 810千円)
• キーワード: タングステン / 再結晶脆化 / レーザードーピング / レニウム / 水素滞留挙動

研究開始時の研究の概要

本研究の目的は，パルスレーザー照射を利用したタングステン表面へのレニウム添加により再結晶を抑制する新たな技術を確立することである。形成されたタングステン－レニウム合金層のミクロ構造と再結晶抑制効果の関係を系統的に評価することで目的の達成を目指す。具体的には、超短時間加熱で形成されたタングステン－レニウム合金層のミクロ構造とその再結晶抑制効果、および高粒子束プラズマ照射に対する再結晶抑制効果の耐久性について明らかにする。