| 研究課題/領域番号 |
25K07348
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
小区分15020:素粒子、原子核、宇宙線および宇宙物理に関連する実験
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| 研究機関 | 大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構 |
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研究代表者 |
藤田 陽一 大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構, 素粒子原子核研究所, 専門技師 (80391720)
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| 研究分担者 |
深尾 祥紀 大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構, 素粒子原子核研究所, 准教授 (80443018)
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| 研究期間 (年度) |
2025-04-01 – 2028-03-31
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| 研究課題ステータス |
交付 (2025年度)
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| 配分額 *注記 |
3,770千円 (直接経費: 2,900千円、間接経費: 870千円)
2027年度: 390千円 (直接経費: 300千円、間接経費: 90千円)
2026年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
2025年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
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| キーワード | 半導体センサー |
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| 研究開始時の研究の概要 |
ミューオン電子転換過程探索実験 COMET における前方ミューオン計測システムの完成を目指し、ワイドギャップ半導体を軸とする放射線耐性の高いセンサーおよびエレクトロニクスの開発技術を確立する。COMET 実験は大強度陽子ビームから大量のミューオンを生成するため、測定器の上流では電離性放射線量として 10MGy、非電離性放射線量として 10^14neutron/cm^2 もの放射線耐性が要求される。本研究ではセンサー材料としてシリコンカーバイドの実用に向けて開発を行う。更にディープサブミクロン CMOS 技術を用いた回路を開発し、センサーと合わせて実験要求を満たす計測システムを実現する。
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