単結晶シリコン基板への力学的転位形成とこれを用いた三次元シリコンワイヤの作製

• 研究課題/領域番号: 25K07505
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分18010:材料力学および機械材料関連
• 研究機関: 東京電機大学
• 研究代表者: 本橋 光也 東京電機大学, 工学部, 教授 (60239580)
• 研究期間 (年度): 2025-04-01 – 2029-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2025年度)
• 配分額: 3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円); 2028年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円); 2027年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円); 2026年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円); 2025年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
• キーワード: シリコンワイヤ / 結晶転位 / 陽極酸化 / ナノ構造 / ポーラスシリコン

研究開始時の研究の概要

従来から、単結晶シリコンに代表される結晶構造を有する半導体においては発生してしまう結晶転位は不要とされてきた。しかし、この転位を制御し意図的に設計した位置に発生させることが可能であれば、これを利用したまったく新しい構造体作製法が確立できる。我々はこれまでに、転位を利用した電気分解によるシリコンワイヤの作製を行ってきた。
本研究では、これらの転位の評価を行い転位形状の制御法を検討することでこのワイヤの作製を行う。転位を積極的に利用する方法は世界初のものであり、本研究を遂行することで今までに無い新しいワイヤ作製法の確立を目指す。