10nm未満のモールド作製とナノインプリントパターンの引きちぎれ防止技術の開発

• 研究課題/領域番号: 25K07524
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分18020:加工学および生産工学関連
• 研究機関: 国立研究開発法人産業技術総合研究所
• 研究代表者: 鈴木 健太 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 主任研究員 (60709509)
• 研究期間 (年度): 2025-04-01 – 2028-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2025年度)
• 配分額: 4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円); 2027年度: 520千円 (直接経費: 400千円、間接経費: 120千円); 2026年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円); 2025年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
• キーワード: ナノインプリント / リソグラフィ / シングルナノ / モールド

研究開始時の研究の概要

先端デバイスの寸法の微細化に対応し、形状幅10nm未満のシングルナノメートル領域のパターニング技術の開発が求められている。光ナノインプリントは原子レベルの凹凸の報告例がある一方で、シングルナノメートル領域でのリソグラフィが進まない理由としては、モールドの作製技術の困難さとモールド離型時のパターン欠陥の課題がある。本研究では、マルチパターニングを用いた形状幅10nm未満(ハーフピッチ：HP 9nm目標)のパターンを有するモールドの作製技術および、モールド離型時に潤滑剤として役割を期待する界面離型層を利用した光ナノインプリント技術を開発する。