研究課題
基盤研究(C)
本研究は,ダイヤモンドの合成メカニズムを明らかにしたうえで,ダイヤモンドを任意の金属基板に密着性良く高速に合成することを最終目標として行う研究である。まず,種々の金属基板表面の状態を変えてダイヤモンド合成実験を行う。非経験的分子軌道法を用いたシミュレーション計算を行って実験結果を説明し,金属表面にダイヤモンドが密着性良く合成できるメカニズムを理論的に明らかにして,高速合成が可能となる液中プラズマCVD法に適用して最終目的を達成する。