シリコーンゴムの経年汚損劣化層の形成機構の解明と劣化度診断技術の開発

• 研究課題/領域番号: 25K07717
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分21010:電力工学関連
• 研究機関: 宮崎大学
• 研究代表者: 迫田 達也 宮崎大学, 工学部, 教授 (90310028)
• 研究期間 (年度): 2025-04-01 – 2028-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2025年度)
• 配分額: 4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円); 2027年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円); 2026年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円); 2025年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
• キーワード: シリコーンゴム / 経年汚損劣化 / 劣化診断

研究開始時の研究の概要

本研究では，送配電用がいしの外被材であるシリコーンゴム(SiR)に汚損劣化層が形成される機構と，同層のSiR低分子成分の分散特性を明らかにする。得られた成果を基に，SiRの表面劣化度を測定できる技術を開発する。
SiRの撥水性は一時的に低下しても，バルクから表面への低分子量成分の分散によって回復する。撥水性の消失と回復は，汚損物質が表面に付着ながら繰返される。この表面の劣化度を測定できれば，長期間にわたるSiR製がいしの保守が可能となる。そこで，SiRの汚損劣化表面上で誘電体バリア放電を生起してSiR表面の撥水性を一旦低下させ，その後の撥水性回復時間からSiRの劣化度を測定する技術を開発する。