研究課題
基盤研究(C)
本研究では、2025年度において、面内超高密度でかつ高均一なInAsSb/GaAs系量子ドット構造の作製技術を確立する。2026年度では、上記の2次元量子ドットネットワーク構造における隣接量子ドット間での電子的結合状態の実験的検証、2次元面内での電子輸送特性およびキャリアダイナミクスの測定評価を行う。2027年度では、上記の2次元量子ドットネットワーク構造をリザバー層としたリザバーコンピューティングへの応用について検討する。