酸化還元反応を利用した磁性積層膜の界面エンジニアリング

• 研究課題/領域番号: 25K07820
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分21050:電気電子材料工学関連
• 研究機関: 名古屋大学
• 研究代表者: 大島 大輝 名古屋大学, 工学研究科, 准教授 (60736528)
• 研究期間 (年度): 2025-04-01 – 2028-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2025年度)
• 配分額: 4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円); 2027年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円); 2026年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円); 2025年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
• キーワード: 磁性薄膜 / 界面構造 / スピントロニクス

研究開始時の研究の概要

電子のスピンを利用するスピントロニクスでは磁性層を含むナノレベルの積層膜が研究の対象となっており、積層膜中の界面構造の制御が重要な課題である。本研究では、強磁性酸化物/非磁性層構造を熱処理した際に強磁性金属層/酸化物層界面が形成される現象を利用し、その界面効果を増大させるための研究を行う。また、種々の材料を用いることも検討し、さまざまな積層系における界面形成手法の確立を目指す。