極低温におけるフラッシュメモリの異常SILC生成ダイナミクス観測のための大規模評価

• 研究課題/領域番号: 25K07837
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分21050:電気電子材料工学関連
• 研究機関: 豊田工業高等専門学校
• 研究代表者: 熊谷 勇喜 豊田工業高等専門学校, 電気・電子システム工学科, 准教授 (40824496)
• 研究分担者: 石川 智己 広島大学, 半導体産業技術研究所, 特任助教 (70375377)
• 研究期間 (年度): 2025-04-01 – 2028-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2025年度)
• 配分額: 4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円); 2027年度: 260千円 (直接経費: 200千円、間接経費: 60千円); 2026年度: 390千円 (直接経費: 300千円、間接経費: 90千円); 2025年度: 3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円)
• キーワード: 半導体 / フラッシュメモリ / 極低温

研究開始時の研究の概要

大規模・低ノイズ量子コンピュータ実現のため，量子ビット制御用集積回路は，絶対零度近い極低温で正確に動作する必要がある。記憶素子であるフラッシュメモリの信頼性を劣化させる，異常ストレス誘起リーク電流（異常SILC）は，微細なテストパターンを大量に評価しないと検出されず研究の機会が少ないが，極低温で大量のデバイスを一つずつ入れ替えて測定するのは現実的でない。そこで大量のデバイスを一度に測定可能な大規模評価回路を極低温にて動作させるシステムを開発する。熱励起の影響を排除した環境では，室温で生じていた複雑な欠陥生成過程が単純な系になることで，これまでにない性質や物理モデルに迫ることを目的とする。