| 研究課題/領域番号 |
25K07838
|
|---|
| 研究種目 |
基盤研究(C)
|
| 配分区分 | 基金 |
|---|
| 応募区分 | 一般 |
|---|
| 審査区分 |
小区分21050:電気電子材料工学関連
|
|---|
| 研究機関 | 広島商船高等専門学校 |
|---|
研究代表者 |
酒池 耕平 広島商船高等専門学校, 総合科学科, 准教授 (00740383)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2025-04-01 – 2028-03-31
|
| 研究課題ステータス |
交付 (2025年度)
|
| 配分額 *注記 |
4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2027年度: 520千円 (直接経費: 400千円、間接経費: 120千円)
2026年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2025年度: 3,250千円 (直接経費: 2,500千円、間接経費: 750千円)
|
|---|
| キーワード | SiO2 / 絶縁膜 / 低温プロセス / フレキシブルエレクトロニクス |
|---|
| 研究開始時の研究の概要 |
1000℃で形成した熱酸化膜品質に匹敵するSiO2を50℃級の超低温で実現する独自技術を飛躍的に進化させる。具体的には、課題であるウエハインチ級の大面積パーヒドロポリシラザン(PHPS)を、高速(1秒未満)に、かつ熱酸化膜品質に匹敵するSiO2へシリカ転化させる技術の開発に注力し、本技術を量産対応可能な技術へと昇華させる為の技術確立を目指す。
|
