| 研究課題/領域番号 |
25K07847
|
|---|
| 研究種目 |
基盤研究(C)
|
| 配分区分 | 基金 |
|---|
| 応募区分 | 一般 |
|---|
| 審査区分 |
小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
|
|---|
| 研究機関 | 東北学院大学 |
|---|
研究代表者 |
原 明人 東北学院大学, 工学部, 教授 (20417398)
|
|---|
| 研究分担者 |
鈴木 仁志 東北学院大学, 工学部, 准教授 (70351319)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2025-04-01 – 2028-03-31
|
| 研究課題ステータス |
交付 (2025年度)
|
| 配分額 *注記 |
4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2027年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
2026年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2025年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
|
|---|
| キーワード | 薄膜トランジスタ / 縦型チャネル / 4端子 / ガラス / LSI |
|---|
| 研究開始時の研究の概要 |
縦型チャネル半導体層の高品質化を実現し、その技術を4T縦型TFT構造に融合することで、4T縦型TFTの基本性能を向上させる。更に、ゲート絶縁膜におけるhigh-k膜やデバイスシミュレーションと融合することで、n-chに対してはSi、 p-chに対してはGeからなるゲート長100 nmの4T縦型poly-Ⅳ族 TFTをガラス基板上で実現する。更に、それらの異種4T縦型poly-Ⅳ族 TFTをガラス基板上に隣接して形成することで、1.0Vで動作するCMOSインバータを実現する。
|
