| 研究課題/領域番号 |
25K07863
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
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| 研究機関 | 山梨大学 |
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研究代表者 |
村中 司 山梨大学, 大学院総合研究部, 教授 (20374788)
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| 研究分担者 |
鍋谷 暢一 山梨大学, 大学院総合研究部, 教授 (30283196)
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| 研究期間 (年度) |
2025-04-01 – 2028-03-31
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| 研究課題ステータス |
交付 (2025年度)
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| 配分額 *注記 |
3,770千円 (直接経費: 2,900千円、間接経費: 870千円)
2027年度: 520千円 (直接経費: 400千円、間接経費: 120千円)
2026年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2025年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
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| キーワード | 酸化亜鉛半導体/ZnO / 分子線エピタキシー法/MBE / ロール・ツー・ロール方式/RTR |
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| 研究開始時の研究の概要 |
本研究は、人体に無害で低温成膜が可能、電気伝導性に優れている性質を有する酸化亜鉛(ZnO)系半導体材料に着目して分子線エピタキシー法と原子状酸素ラジカル照射プロセスを利用した低損傷・低温成長が可能な独自のバッチおよびロール・ツー・ロール (RTR)式成膜プロセスを用いて、フレキシブル電子デバイスに応用可能なZnO系半導体デバイスならびにその集積化技術の開発を目指すものである。
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