| 研究課題/領域番号 |
25K07865
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
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| 研究機関 | 広島大学 |
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研究代表者 |
田部井 哲夫 広島大学, 半導体産業技術研究所, 特任准教授 (40536124)
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| 研究分担者 |
雨宮 嘉照 広島大学, 半導体産業技術研究所, 特任助教 (20448260)
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| 研究期間 (年度) |
2025-04-01 – 2028-03-31
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| 研究課題ステータス |
交付 (2025年度)
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| 配分額 *注記 |
4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2027年度: 260千円 (直接経費: 200千円、間接経費: 60千円)
2026年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
2025年度: 2,600千円 (直接経費: 2,000千円、間接経費: 600千円)
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| キーワード | シリコン光変調器 / マッハ-ツェンダー変調器 / トンネルFET |
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| 研究開始時の研究の概要 |
マッハツェンダ光変調器とCMOS回路のチップ上での統合を目的として、極低電圧でのスイッチングが可能なトンネル電界効果トランジスタを利用した、デバイス長1mm以下、駆動電圧1V以下のシリコンマッハツェンダ光変調器を開発する。従来のCMOSプロセスと互換性を持たせつつ、デバイスの構造を工夫し高誘電率絶縁膜を使用することでトンネルトランジスタの電流駆動力を高め、光変調効率の向上を図る。
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