THz全反射減衰法による配向規制力を受けた液晶の吸収特性の評価

• 研究課題/領域番号: 25K07866
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
• 研究機関: 秋田県立大学
• 研究代表者: 伊東 良太 秋田県立大学, システム科学技術学部, 准教授 (20433146)
• 研究期間 (年度): 2025-04-01 – 2028-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2025年度)
• 配分額: 4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円); 2027年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円); 2026年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円); 2025年度: 2,990千円 (直接経費: 2,300千円、間接経費: 690千円)
• キーワード: テラヘルツ波 / 液晶

研究開始時の研究の概要

THz波を用いた次世代の大容量通信の実現には、ビームフォーミング技術の確立が不可欠である。液晶は、電圧応答性が高く、THz波の位相を制御できる有望な材料であるが、THz帯での吸収が大きいという課題がある。
本研究は、液晶分子と基板界面の相互作用に着目し、この吸収問題の解決を目指す。具体的には、全反射減衰法を用いて、界面近傍の液晶分子をターゲットにTHz波吸収特性を詳細に解析し、配向規制力がTHz吸収に与える影響を明らかにする。
これにより、THz帯での液晶の吸収を抑制し、高性能なTHzビームフォーミングデバイスの実現に貢献する。