研究課題
基盤研究(C)
窒化ガリウム系共鳴トンネルダイオードでのフェムト秒オーダーの共鳴トンネル及びサブバンド間遷移現象を用いることで、SRAM（最高速の揮発性メモリ）と同等な高速性を持つ不揮発性メモリの実現を期待できる。これまでに、高速パルスを用いたスイッチング特性評価などから、メモリ動作原理の実証に成功している。しかし、このメモリの実現のためには、メモリの書き換え耐性の改善と微細化が不可欠である。本研究課題では、N極性窒化物半導体成長技術によるメモリ書き換え耐性の改善とメモリ微細化による低消費電力化を実現することを目標とする。これより、低消費電力で超高速動作が可能な不揮発性メモリの実現を目指す。
