六方晶窒化ホウ素の単原子層界面における分子軌道を介した電子物性の制御

• 研究課題/領域番号: 25K08418
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分28030:ナノ材料科学関連
• 研究機関: 広島大学
• 研究代表者: 沢田 正博 広島大学, 放射光科学研究所, 准教授 (00335697)
• 研究期間 (年度): 2025-04-01 – 2028-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2025年度)
• 配分額: 3,640千円 (直接経費: 2,800千円、間接経費: 840千円); 2027年度: 390千円 (直接経費: 300千円、間接経費: 90千円); 2026年度: 520千円 (直接経費: 400千円、間接経費: 120千円); 2025年度: 2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
• キーワード: 単原子層

研究開始時の研究の概要

本研究では、単層の六方晶窒化ホウ素(h-BN)を舞台とする単原子界面エンジニアリングを展開して、界面における弾性歪み導入や化学結合の制御を利用した機能性発現を試みる。h-BN単層膜は、ホウ素と窒素が交互に配列して化学結合により網の目状に連なったハニカム構造の単原子膜であり、この単原子膜の上面と下面には他の物質の結晶配列を接合させることができる。上面と下面の接合構造を制御することにより、電荷移動や化学結合を発現することができるので、デバイス応用等に活用可能な機能性を発現できることが期待される。本研究では、h-BN単層膜を介した機能性発現を実験的に確認してその原理を明らかにする。