分子吸着による2次元物質MoTe2を用いた相変化メモリデバイスの動作制御の検討

• 研究課題/領域番号: 25K08429
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分28030:ナノ材料科学関連
• 研究機関: 防衛大学校(総合教育学群、人文社会科学群、応用科学群、電気情報学群及びシステム工学群)
• 研究代表者: 石黒 康志 防衛大学校(総合教育学群、人文社会科学群、応用科学群、電気情報学群及びシステム工学群), 電気情報学群, 講師 (20833114)
• 研究期間 (年度): 2025-04-01 – 2028-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2025年度)
• 配分額: 4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円); 2027年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円); 2026年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円); 2025年度: 2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
• キーワード: 2次元物質 / 遷移金属カルコゲナイド / MoTe2 / 分子吸着 / メモリデバイス

研究開始時の研究の概要

「2次元物質」の1つであるMoTe2 は、低エネルギーで相転移が生じ、電気抵抗が大きく変化することから相変化を利用したメモリデバイスへの応用が注目されている。しかしながら、「2次元物質」の特徴の一つである表面吸着分子との相互作用に関して、MoTe2の相変化メモリ動作に及ぼす影響を実験で調べた例はない。本研究で初めてMoTe2表面に水素ガスを吸着させたときの相変化メモリ動作を明らかにする。この分子吸着を用いた相変化メモリ動作制御が実現すれば、従来の層数や欠陥制御の手法に比べてメモリ動作を容易に制御できる新たな手法として、「2次元物質」を用いたメモリデバイスの実用化に貢献できることが期待される。