| 研究課題/領域番号 |
25K08466
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
小区分29020:薄膜および表面界面物性関連
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| 研究機関 | 北海道大学 |
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研究代表者 |
迫田 將仁 北海道大学, 工学研究院, 助教 (80735556)
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| 研究分担者 |
下田 周平 北海道大学, 触媒科学研究所, 技術専門職員 (11010364)
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| 研究期間 (年度) |
2025-04-01 – 2028-03-31
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| 研究課題ステータス |
交付 (2025年度)
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| 配分額 *注記 |
4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2027年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2026年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
2025年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
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| キーワード | 電界効果トランジスタ / ルテニウム酸化物 / サイズ効果 / 金属絶縁体転移 / Mott絶縁体 |
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| 研究開始時の研究の概要 |
イオン液体を用いた電気二重層トランジスタを作製して伝導キャリアをドーピングすることで、桁外れなサイズ効果における電子状態を変える。膜厚ごとにドーピング特性と磁場応答を測定して、それぞれの薄膜の金属絶縁体転移を制御する。CaRuO3の従来の金属相 ⇔ Mott絶縁相を電界によって自在に往来する“量子臨界スイッチング”機能を創出する。
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