超伝導超薄膜をプローブとして用いる金属表面の近藤状態の研究

• 研究課題/領域番号: 25K08468
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分29020:薄膜および表面界面物性関連
• 研究機関: 東京大学
• 研究代表者: 岡本 徹 東京大学, 大学院理学系研究科(理学部), 准教授 (60245371)
• 研究期間 (年度): 2025-04-01 – 2028-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2025年度)
• 配分額: 4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円); 2027年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円); 2026年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円); 2025年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
• キーワード: 近藤状態 / 超伝導 / 表面原子

研究開始時の研究の概要

近年、非磁性金属表面に吸着した磁性原子・分子に対する研究が盛んに行われており、磁気モーメントの遮蔽効果の強さの指標である近藤温度TKが導出されている。しかし、測定手法は走査トンネル分光法（STS）に限られており、磁性体の種類も限定的である。本研究では、超伝導超薄膜の超伝導転移温度Tcの減少率から、超伝導体あるいはその上にコーティングされた常伝導体の表面上に蒸着された磁性原子・分子のTKを導出し、磁性体やホスト金属の種類に対するTKの依存性を広い範囲で系統的に調べて、法則性と物理を明らかにする。